项目编号  P2019080900002 申请号/专利号 201310365478.X等8项
专利名称   “掺杂氧化锌半导体材料及其制备方法与应用”等8项专利所有权出售 挂牌价格 15000000
挂牌时间  2019-08-09 行业分类 高新技术改造传统产业

项目名称

 掺杂氧化锌半导体材料及其制备方法与应用”等8项专利所有权出售

项目介绍

本批8件发明专利主要应用于薄膜晶体管(TFT)器件的生产及相关应用,可广泛用于电子价格标签、电子书、电子报纸、电子白板等产品。

专利(如数量、专利号、专利名称、摘要、产品情况等);

 

□商标(如数量、商标注册号、类别、图形文字、产品情况等);

 

□其他(如类别、数量以及相应的材料)

1.201310365478.X一种氧化物薄膜的溅射方法

一种氧化物薄膜的制备方法,是将臭氧直接通入物理气相沉积设备的反应腔内作为溅射气体进行氧化物薄膜沉积。物理气相沉积设备为脉冲直流溅射设备,臭氧是通过臭氧发生器以电晕放电法制备而成。本发明的方法能够制备工艺窗口大、耐压特性好的氧化物介质薄膜。

2.201310315245.9一种金属氧化物薄膜晶体管存储器件及其制备方法

一种金属氧化物薄膜晶体管存储器件及其制备方法,器件设置有电荷存储层,金属氧化物薄膜晶体管的有源层位于电荷存储层和金属氧化物薄膜晶体管的绝缘层之间,其制备方法是在常规金属氧化物薄膜晶体管的制备工艺中增加电荷存储层制备工序。电荷存储层为三氧化钼薄膜层、三氧化钨薄膜层、氧化镍薄膜层、C60薄膜层或PCBM薄膜层等。电荷存储层通过旋涂法、真空热蒸发法、磁控溅射法、原子层沉积法或者丝网印刷法中的任意一种方式成膜制备而成。本发明的金属氧化物薄膜晶体管存储器件具有电荷保留时间长、重复性高、读写时间短、密度高的特点,其制作工艺简单、成本低,工艺兼容性高。

3.201210326857.3一种复合透明导电薄膜

本发明公开了一种复合透明导电薄膜,其包括相互叠加的两层或两层以上的透明薄膜,相邻的两层透明薄膜之间设有一层插入层;所述的透明薄膜为ITO薄膜、AZO薄膜、IZO薄膜中的一种。本发明采用ITO/插入层/ITO的多层复合结构有效地抑制了ITO薄膜随着厚度的增加而呈结晶态,进而得到可使用弱酸对其刻蚀图案化的复合透明导电薄膜;通过增加ITO/插入层……插入层/ITO这样的多层结构的层数,能够有效的降低透明导电薄膜的方块电阻;作为插入层的氧化物薄膜通常对于可见光部分具有良好的透过率,因此,使用该结构并不会影响透明导电薄膜的透过率特性。

4.201110295036.3硼化镧掺杂的氧化物半导体材料及其应用

本发明公开了一种硼化镧掺杂的氧化物半导体材料及应用。硼化镧掺杂的氧化物半导体材料是在通过氧化锌基材料中掺入硼化镧实现。应用硼化镧掺杂的氧化物半导体材料制备的薄膜晶体管包括基板、栅极、绝缘层、沟道层、源极和漏极;栅极位于基板上部,绝缘层覆盖在栅极上端,沟道层设置在绝缘层上端,源极和漏极分别覆盖在沟道层的两端并且相互间隔;沟道层材料为硼化镧掺杂的氧化物半导体材料。该薄膜晶体管具有载流子迁移率高、关态电流低及开关比高等优点

5.201110252193.6掺杂氧化锌半导体材料及其制备方法与应用

本发明公开了掺杂氧化锌半导体材料及其制备方法与应用。掺杂氧化锌半导体材料是在ZnO材料中同时掺入In、Sn以及Ni;其成份为NiaSnbIncZndO,其中,0.01≤a≤0.09、0.01≤b≤0.09、c=0.3、d=0.6且a+b+c+d=1。应用掺杂氧化锌半导体材料制备的薄膜晶体管包括玻璃基板、栅极、绝缘层、沟道层、源极和漏极;栅极位于玻璃基板中心上部,绝缘层覆盖在栅极上端,沟道层设置在绝缘层中部上端,位于栅极正上方,沟道层左右两端伸出栅极;源极和漏极分别覆盖在沟道层的两端并且相互间隔;沟道层材料为掺杂氧化锌半导体材料。该薄膜晶体管具有载流子迁移率高、稳定性好以及开关比高等优点。

6.200710027207.8聚合物电解质薄膜晶体管

本发明公开了一种聚合物电解质薄膜晶体管,由衬底,源漏电极,半导体有源层,聚合物电解质层和栅极电极依次层叠构成;所述的聚合物电解质层的材料含有芴基化学结构单元,且单元中含极性基团或离子性基团的化学组分。利用上述聚合物电解质材料作为有机薄膜晶体管的绝缘层,能大幅度提高漏极输出电流和降低晶体管工作电压。这种低工作电压和大电流输出的晶体管可用于驱动有机电致发光器件、电子纸和液晶显示器,且成本低容易制备。

7.200710026213.1导电组合物

本发明涉及导电组合物,包括导电粒子、聚合物以及溶剂;其中聚合物以乙烯基或丙烯酸基为主链、侧链结构单元以杂环结构为主;可应用于制作OLED/PLED单色或全色发光器件以及太阳光电池的电极。

8.200610034391.4有机薄膜晶体管及其制备方法

本发明涉及一种有机薄膜晶体管及其制备方法,有机薄膜晶体管由栅极、绝缘层、第一层电极、半导体层、第二层电极依次层叠构成;第一层电极作为漏极时,第二层电极作为源极;第一层电极作为源极时,则第二层电极作为漏极;漏极和源极分别位于有机半导体层的两侧,并在有机半导体层两侧上下错开。这种结构的晶体管能诱导载流子离开绝缘层-半导体层界面附近的耗尽区,直接通过半导体的本体注入漏极,从而有利于载流子的注入,提高迁移率,增大输出电流。本发明所提出的结构还能使导电沟道长度达到与半导体层的厚度相当的程度,远小于传统薄膜晶体管结构所能达到的最小沟道长度,这可以减小薄膜晶体管器件的面积。

评估机构

广州业勤资产评估土地房地产估价有限公司

评估基准日

2018年12月24日

标的估值

14,912,745元

是否涉及质押

是否涉及托管

是否涉及担保

是否涉及冻结

是否存在其他限制

 

其他需要披露

的事项

本交易只接受一次性付款,及必须先付款再进行专利所有权人变更的手续。

交易信息与受让方义务

挂牌价

 15,000,000元

交易双方

价款支付方式

 一次性付款

受让方应当

履行的义务

双方需协商拟订并签署《知识产权转让合同》,严格遵守合同的各项约定,按时缴清交易款项。

交易须知

须知

1、意向方须在挂牌期内向广州知识产权交易中心提交《知识产权受让申请书》及相关附件材料。

2、广州知识产权交易中心对意向受让方提交的资料进行审查,必要时可以要求意向受让方提供补充资料,并在征询转让方意见的基础上,按本公告的条件确定受让方。

3、交易双方须在广州知识产权交易中心出具交易凭证前,按照《广州知识产权交易中心收费办法》或其他约定向广州知识产权交易中心支付知识产权交易服务费。交易双方须将上述费用通过汇款、转账方式转入以下账户,并在付款凭证备注栏中注明“项目编号+资金用途”。本项目知识产权交易服务费不得由交易双方以外的第三人代付,不接受现金、现金汇款、托收支票、银行汇票等付款方式。广州知识产权交易中心账户(用于收取交易服务费和竞价费用)

账户名称:广州知识产权交易中心有限公司

账号:11014736786001

开户行:平安银行广州分行

4、本须知所称意向方是指意向购买转让标的并向广州知识产权交易中心提交书面申请材料的企业法人或自然人;合格意向方是指经广州知识产权交易中心审查,符合交易条件的意向方;受让方是指经确定与转让方签署《知识产权转让合同》的合格意向方。

保证金设定

是否缴纳保证金

缴纳金额

-

缴纳时间

-

风险提示

以上信息来源于转让方提供的资料,仅供参考,请意向方进行必要的调查核实,广州知识产权交易中心对上述信息披露不做任何承诺和担保。

请意向方填写《知识产权受让申请书》并按要求提交相应材料。
将纸质件资料寄至:广东省广州市天河区天河北路28号时代广场东座903室。
电子版资料发至:fengjielun@gipx.com.cn
联系人:冯先生
联系电话:020-82006457

 

 

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